宿根天人菊栽培管理技术

  植物号 2023-11-17

宿根天人菊栽培管理技术

  宿根天人菊栽培管理技术  栽培期:抽绿(穴盘育苗),5~6周;盆植:8~10周;总栽培时间(播种到开花);13~16周。  种子重量:磨擦处理种,约400粒/克。  播种期:若要5~7月开花则在1月~2月播种。  播种基质:疏松、富含腐殖质、轻施肥(复合肥0.5~1.0公斤/立方米、含铁素、微量元素)、排水性好的基质。pH值为6.0~6.5。  出芽:温度为18℃~20℃时需10~12天。  出芽条件和管理:发芽需光照。播种后轻压种子,保持均衡湿度,给予光照。避免阳光直射。子叶长出后,对基质进行控水。继续干燥培养。幼苗不耐积水。生长时间Ⅱ~Ⅳ:温度为16℃~18℃时需12~35天。  上盆:播种4周后移植到花盆,可将1株移植到10~13厘米花盆中,或将3株植于16~29厘米容器中。  上盆基质:疏松、富含腐殖质的基质,含15%~30%粘土、15%以下添加料(如珍珠岩、树皮腐殖质、沙)、追3公斤/立方米缓释肥料(释放期3~6个月),PH值6~6.5。  温度:12℃~16℃。透风温度19℃或露天培养。无霜冻的情况下,植株可在3℃~5℃或露天过冬,建议用织网遮盖。  光照:宿根天人菊对日照长度10分敏感,永日照(12~16小时)刺激开花,但最好株型型在短日照下构成。在短日照下生长温度越高,光照越强,株型将越佳。因此,在日照少的季节需要补光同化光,或采取缩短夜长。  肥料:对肥料的需求很大。盆植2周后,每周追调均衡复合肥约氮130~150毫克/升;氮钾比(N:K2O宿根天人菊栽培管理技术)为1:1;基质含缓释肥3公斤/立方米。栽培后期氮钾比(N:K2O)改成1:2。  栽培提示:对积水非常敏感。尽量干燥培养。等其充分变干后再度浇灌。土壤过湿会影响产品质量。露天培养时应保证好的排水性。  品种介绍  亚利桑那阳光(Arizona Sun)株高约30厘米,无需春化处理,在温暖且阳光充足的环境,生长旺盛。“亚利桑那太阳”花亮红色镶亮黄色边,花径约10厘米。比其他天人菊花期更早,且1直延续到秋季,AAS和FS得奖品种。花园表现显著,株型整齐性佳。  夏艳(Goblin)株高约35厘米,花瓣红色滚黄边,株型紧密呈丛成状。经验内容仅供参考,如果您需要解决具体问题(特别在法律、医学等领域),建议您接下来详细咨询相干领域专业人士。
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